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IKW30N65EL5XKSA1

商品型号： IKW30N65EL5XKSA1

制造厂商： Infineon(英飞凌)

封装规格： TO-247

商品毛重： 8.60g

商品编号： CY545920

数据手册：在线预览

商品描述：栅极阈值电压-VGE(th)：5.8V @ 400uA 不同 Vge，Ic 时的 Vce（on）：1.35V @ 15V,30A 集电极电流（Ic）（最大值）：85A 集射极击穿电压（最大值）：650V 类型：- Vce=650V，Ic=30A，LowVce(sat)=1.05V

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规格参数
PDF数据手册

属性（属性参数值如有纰漏请以PDF为准）	参数值
商品目录	IGBT管
集射极击穿电压（最大值）	650V
类型	-
不同 Vge，Ic 时的 Vce（on）	1.35V @ 15V,30A

栅极阈值电压-VGE(th)：5.8V @ 400uA 不同 Vge，Ic 时的 Vce（on）：1.35V @ 15V,30A 集电极电流（Ic）（最大值）：85A 集射极击穿电压（最大值）：650V 类型：- Vce=650V，Ic=30A，LowVce(sat)=1.05V

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IKW30N65EL5XKSA1由Infineon(英飞凌)设计生产,在芯云购商城现货销售,IKW30N65EL5XKSA1价格参考￥1.079700。Infineon(英飞凌)IKW30N65EL5XKSA1封装/规格：TO-247,栅极阈值电压-VGE(th)：5.8V @ 400uA 不同 Vge，Ic 时的 Vce（on）：1.35V @ 15V,30A 集电极电流（Ic）（最大值）：85A 集射极击穿电压（最大值）：650V 类型：- Vce=650V，Ic=30A，LowVce(sat)=1.05V

手机版：IKW30N65EL5XKSA1