商品型号: FGH60T65SHD-F155
制造厂商: ON(安森美)
封装规格: TO-247-3
商品毛重: 10.20g
商品编号: CY191085
数据手册:
在线预览
商品描述: 栅极阈值电压-VGE(th):- 不同 Vge,Ic 时的 Vce(on):2.1V @ 15V,60A 集电极电流(Ic)(最大值):120A 集射极击穿电压(最大值):650V 类型:沟槽型场截止
数量
价格
1+
¥1.2596
10+
¥1.2173
30+
¥1.175
100+
¥1.1327
500+
¥1.0904
1000+
¥1.0452
品牌: ST(意法半导体)
封装: RD91
¥38.00
品牌: ST(意法半导体)
封装: LQFP48
¥15.00
品牌: IXYS
封装: TO-247
¥25.00
品牌: ST(意法半导体)
封装: LQFP-176
¥120.00
品牌: ST(意法半导体)
封装: TO3P
¥25.00
属性(属性参数值如有纰漏请以PDF为准) | 参数值 | |
---|---|---|
商品目录 | IGBT管 | |
集射极击穿电压(最大值) | 650V | |
类型 | 沟槽型场截止 | |
栅极阈值电压-VGE(th) | - |
FGH60T65SHD-F155由ON(安森美)设计生产,在芯云购商城现货销售,FGH60T65SHD-F155价格参考¥1.259600。ON(安森美)FGH60T65SHD-F155封装/规格:TO-247-3,栅极阈值电压-VGE(th):- 不同 Vge,Ic 时的 Vce(on):2.1V @ 15V,60A 集电极电流(Ic)(最大值):120A 集射极击穿电压(最大值):650V 类型:沟槽型场截止
手机版:FGH60T65SHD-F155
20万现货SKU
品类不断扩充
科技智能大仓储
4小时快速交货
仅从原厂和代理商进货
每一颗料均可原厂追溯
明码标价节省时间成本
一站式采购正品元器件