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NGTB40N65IHL2WG

商品型号： NGTB40N65IHL2WG

制造厂商： ON(安森美)

封装规格： TO-247

商品毛重： 6.86g

商品编号： CY226960

数据手册：在线预览

商品描述：栅极阈值电压-VGE(th)：6.5V @ 150uA 不同 Vge，Ic 时的 Vce（on）：2.2V @ 15V,40A 集电极电流（Ic）（最大值）：80A 集射极击穿电压（最大值）：650V 类型：沟槽型场截止

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规格参数
PDF数据手册

属性（属性参数值如有纰漏请以PDF为准）	参数值
商品目录	IGBT管
集电极电流（Ic）（最大值）	80A
集射极击穿电压（最大值）	650V
类型	沟槽型场截止

栅极阈值电压-VGE(th)：6.5V @ 150uA 不同 Vge，Ic 时的 Vce（on）：2.2V @ 15V,40A 集电极电流（Ic）（最大值）：80A 集射极击穿电压（最大值）：650V 类型：沟槽型场截止

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NGTB40N65IHL2WG由ON(安森美)设计生产,在芯云购商城现货销售,NGTB40N65IHL2WG价格参考￥2.288500。ON(安森美)NGTB40N65IHL2WG封装/规格：TO-247,栅极阈值电压-VGE(th)：6.5V @ 150uA 不同 Vge，Ic 时的 Vce（on）：2.2V @ 15V,40A 集电极电流（Ic）（最大值）：80A 集射极击穿电压（最大值）：650V 类型：沟槽型场截止

手机版：NGTB40N65IHL2WG