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NGTB40N65IHL2WG

商品型号: NGTB40N65IHL2WG

制造厂商: ON(安森美)

封装规格: TO-247

商品毛重: 6.86g

商品编号: CY226960

数据手册: 在线预览

商品描述: 栅极阈值电压-VGE(th):6.5V @ 150uA 不同 Vge,Ic 时的 Vce(on):2.2V @ 15V,40A 集电极电流(Ic)(最大值):80A 集射极击穿电压(最大值):650V 类型:沟槽型场截止

交货地:国内 货期(工作日):立即发货

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总   价: ¥2.29

包   装:「管 / 30」

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属性(属性参数值如有纰漏请以PDF为准) 参数值
商品目录 IGBT管
集电极电流(Ic)(最大值) 80A
集射极击穿电压(最大值) 650V
类型 沟槽型场截止
栅极阈值电压-VGE(th):6.5V @ 150uA 不同 Vge,Ic 时的 Vce(on):2.2V @ 15V,40A 集电极电流(Ic)(最大值):80A 集射极击穿电压(最大值):650V 类型:沟槽型场截止

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NGTB40N65IHL2WG由ON(安森美)设计生产,在芯云购商城现货销售,NGTB40N65IHL2WG价格参考¥2.288500。ON(安森美)NGTB40N65IHL2WG封装/规格:TO-247,栅极阈值电压-VGE(th):6.5V @ 150uA 不同 Vge,Ic 时的 Vce(on):2.2V @ 15V,40A 集电极电流(Ic)(最大值):80A 集射极击穿电压(最大值):650V 类型:沟槽型场截止

手机版:NGTB40N65IHL2WG