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NGTB35N65FL2WG

商品型号： NGTB35N65FL2WG

制造厂商： ON(安森美)

封装规格： TO-247

商品毛重： 8.64g

商品编号： CY218106

数据手册：在线预览

商品描述：栅极阈值电压-VGE(th)：- 不同 Vge，Ic 时的 Vce（on）：2V @ 15V,35A 集电极电流（Ic）（最大值）：70A 集射极击穿电压（最大值）：650V 类型：沟槽型场截止

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规格参数
PDF数据手册

属性（属性参数值如有纰漏请以PDF为准）	参数值
商品目录	IGBT管
集射极击穿电压（最大值）	650V
类型	沟槽型场截止
栅极阈值电压-VGE(th)	-

栅极阈值电压-VGE(th)：- 不同 Vge，Ic 时的 Vce（on）：2V @ 15V,35A 集电极电流（Ic）（最大值）：70A 集射极击穿电压（最大值）：650V 类型：沟槽型场截止

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NGTB35N65FL2WG由ON(安森美)设计生产,在芯云购商城现货销售,NGTB35N65FL2WG价格参考￥9.499800。ON(安森美)NGTB35N65FL2WG封装/规格：TO-247,栅极阈值电压-VGE(th)：- 不同 Vge，Ic 时的 Vce（on）：2V @ 15V,35A 集电极电流（Ic）（最大值）：70A 集射极击穿电压（最大值）：650V 类型：沟槽型场截止

手机版：NGTB35N65FL2WG