商品型号: NGTB35N65FL2WG
制造厂商: ON(安森美)
封装规格: TO-247
商品毛重: 8.64g
商品编号: CY218106
数据手册:
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商品描述: 栅极阈值电压-VGE(th):- 不同 Vge,Ic 时的 Vce(on):2V @ 15V,35A 集电极电流(Ic)(最大值):70A 集射极击穿电压(最大值):650V 类型:沟槽型场截止
数量
价格
1+
¥9.4998
10+
¥9.417
30+
¥9.3342
100+
¥9.2514
500+
¥9.1686
1000+
¥9.0858
品牌: ST(意法半导体)
封装: RD91
¥38.00
品牌: ST(意法半导体)
封装: LQFP48
¥15.00
品牌: IXYS
封装: TO-247
¥25.00
品牌: ST(意法半导体)
封装: LQFP-176
¥120.00
品牌: ST(意法半导体)
封装: TO3P
¥25.00
属性(属性参数值如有纰漏请以PDF为准) | 参数值 | |
---|---|---|
商品目录 | IGBT管 | |
集射极击穿电压(最大值) | 650V | |
类型 | 沟槽型场截止 | |
栅极阈值电压-VGE(th) | - |
NGTB35N65FL2WG由ON(安森美)设计生产,在芯云购商城现货销售,NGTB35N65FL2WG价格参考¥9.499800。ON(安森美)NGTB35N65FL2WG封装/规格:TO-247,栅极阈值电压-VGE(th):- 不同 Vge,Ic 时的 Vce(on):2V @ 15V,35A 集电极电流(Ic)(最大值):70A 集射极击穿电压(最大值):650V 类型:沟槽型场截止
手机版:NGTB35N65FL2WG
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