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IRG4PH50KDPBF

商品型号： IRG4PH50KDPBF

制造厂商： Infineon(英飞凌)

封装规格： TO-247(AC)

商品毛重： 8.20g

商品编号： CY647484

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商品描述：栅极阈值电压-VGE(th)：6V @ 250uA 不同 Vge，Ic 时的 Vce（on）：3.5V @ 15V,24A 集电极电流（Ic）（最大值）：45A 集射极击穿电压（最大值）：1200V 类型：- N沟道，Vce=1200V，Ic=45A，Vce(on)=2.77V

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规格参数
PDF数据手册

属性（属性参数值如有纰漏请以PDF为准）	参数值
商品目录	IGBT管
集电极电流（Ic）（最大值）	45A
集射极击穿电压（最大值）	1200V
类型	-

栅极阈值电压-VGE(th)：6V @ 250uA 不同 Vge，Ic 时的 Vce（on）：3.5V @ 15V,24A 集电极电流（Ic）（最大值）：45A 集射极击穿电压（最大值）：1200V 类型：- N沟道，Vce=1200V，Ic=45A，Vce(on)=2.77V

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IRG4PH50KDPBF由Infineon(英飞凌)设计生产,在芯云购商城现货销售,IRG4PH50KDPBF价格参考￥7.143200。Infineon(英飞凌)IRG4PH50KDPBF封装/规格：TO-247(AC),栅极阈值电压-VGE(th)：6V @ 250uA 不同 Vge，Ic 时的 Vce（on）：3.5V @ 15V,24A 集电极电流（Ic）（最大值）：45A 集射极击穿电压（最大值）：1200V 类型：- N沟道，Vce=1200V，Ic=45A，Vce(on)=2.77V

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