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RGT50NS65DGTL

商品型号： RGT50NS65DGTL

制造厂商： ROHM(罗姆)

封装规格： LPDS

商品毛重： 1.00g

商品编号： CY022091

数据手册：在线预览

商品描述：栅极阈值电压-VGE(th)：7V @ 17.5A 不同 Vge，Ic 时的 Vce（on）：2.1V @ 15V,25A 集电极电流（Ic）（最大值）：25A 集射极击穿电压（最大值）：650V 类型：沟槽型场截止

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规格参数
PDF数据手册

属性（属性参数值如有纰漏请以PDF为准）	参数值
商品目录	IGBT管
集电极电流（Ic）（最大值）	25A
集射极击穿电压（最大值）	650V
类型	沟槽型场截止

栅极阈值电压-VGE(th)：7V @ 17.5A 不同 Vge，Ic 时的 Vce（on）：2.1V @ 15V,25A 集电极电流（Ic）（最大值）：25A 集射极击穿电压（最大值）：650V 类型：沟槽型场截止

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RGT50NS65DGTL由ROHM(罗姆)设计生产,在芯云购商城现货销售,RGT50NS65DGTL价格参考￥6.555500。ROHM(罗姆)RGT50NS65DGTL封装/规格：LPDS,栅极阈值电压-VGE(th)：7V @ 17.5A 不同 Vge，Ic 时的 Vce（on）：2.1V @ 15V,25A 集电极电流（Ic）（最大值）：25A 集射极击穿电压（最大值）：650V 类型：沟槽型场截止

手机版：RGT50NS65DGTL