商品型号： LND10N60
制造厂商： LONTEN(龙腾半导体)
封装规格： TO-220F
商品毛重： 2.88g
商品编号： CY566345
数据手册：
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商品描述： 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：10A 漏源电压（Vdss）：600V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：900mΩ @ 5A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：40W 类型：N沟道
数量
价格
1+
￥4.3288
10+
￥4.2754
30+
￥4.222
100+
￥4.1686
500+
￥4.1124
1000+
￥4.0562
品牌： ST(意法半导体)
封装： RD91
￥38.00
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￥15.00
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￥25.00
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封装： LQFP-176
￥120.00
品牌： ST(意法半导体)
封装： TO3P
￥25.00
| 属性（属性参数值如有纰漏请以PDF为准） | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | MOS(场效应管) | |
| 漏源电压（Vdss） | 600V | |
| 连续漏极电流（Id）（25°C 时） | 10A | |
| 类型 | N沟道 |
LND10N60由LONTEN(龙腾半导体)设计生产,在芯云购商城现货销售,LND10N60价格参考￥4.328800。LONTEN(龙腾半导体)LND10N60封装/规格：TO-220F,连续漏极电流（Id）（25°C 时）：10A 漏源电压（Vdss）：600V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：900mΩ @ 5A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：40W 类型：N沟道
手机版：LND10N60
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