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IXFP22N65X2M

商品型号： IXFP22N65X2M

制造厂商： IXYS

封装规格： TO-220

商品毛重： 2.88g

商品编号： CY439837

数据手册：在线预览

商品描述：连续漏极电流（Id）（25°C 时）：22A(Tc) 漏源电压（Vdss）：650V 栅源极阈值电压：5V @ 1.5mA 漏源导通电阻：145mΩ @ 11A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：37W(Tc) 类型：N沟道

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规格参数
PDF数据手册

属性（属性参数值如有纰漏请以PDF为准）	参数值
商品目录	MOS(场效应管)
漏源电压（Vdss）	650V
类型	N沟道

连续漏极电流（Id）（25°C 时）：22A(Tc) 漏源电压（Vdss）：650V 栅源极阈值电压：5V @ 1.5mA 漏源导通电阻：145mΩ @ 11A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：37W(Tc) 类型：N沟道

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IXFP22N65X2M由IXYS设计生产,在芯云购商城现货销售,IXFP22N65X2M价格参考￥1.458400。IXYSIXFP22N65X2M封装/规格：TO-220,连续漏极电流（Id）（25°C 时）：22A(Tc) 漏源电压（Vdss）：650V 栅源极阈值电压：5V @ 1.5mA 漏源导通电阻：145mΩ @ 11A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：37W(Tc) 类型：N沟道

手机版：IXFP22N65X2M