商品型号： ZVN4525ZTA
制造厂商： DIODES(美台)
封装规格： SOT-89(SOT-89-3)
商品毛重： 0.21g
商品编号： CY058267
数据手册：
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商品描述： 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：240mA 漏源电压（Vdss）：250V 栅源极阈值电压：1.8V @ 1mA 漏源导通电阻：8.5Ω @ 500mA,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：1.2W 类型：N沟道 N沟道
数量
价格
1+
￥5.175
10+
￥5.1463
30+
￥5.1176
100+
￥5.0889
500+
￥5.0602
1000+
￥5.0315
品牌： ST(意法半导体)
封装： LQFP48
￥15.00
品牌： IXYS
封装： TO-247
￥25.00
品牌： ST(意法半导体)
封装： LQFP-176
￥120.00
品牌： ST(意法半导体)
封装： TO3P
￥25.00
品牌： FANHAR(浙江凡华)
封装： 20.2x10x15.5
￥15.00
| 属性（属性参数值如有纰漏请以PDF为准） | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | MOS(场效应管) | |
| 漏源电压（Vdss） | 250V | |
| 类型 | N沟道 |
ZVN4525ZTA由DIODES(美台)设计生产,在芯云购商城现货销售,ZVN4525ZTA价格参考￥5.175000。DIODES(美台)ZVN4525ZTA封装/规格：SOT-89(SOT-89-3),连续漏极电流（Id）（25°C 时）：240mA 漏源电压（Vdss）：250V 栅源极阈值电压：1.8V @ 1mA 漏源导通电阻：8.5Ω @ 500mA,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：1.2W 类型：N沟道 N沟道
手机版：ZVN4525ZTA
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