商品型号： ZXMN6A11GTA
制造厂商： DIODES(美台)
封装规格： SOT-223
商品毛重： 0.15g
商品编号： CY913296
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商品描述： 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：3.1A 漏源电压（Vdss）：60V 栅源极阈值电压：3V @ 250uA 漏源导通电阻：120mΩ @ 2.5A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：2W 类型：N沟道
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| 属性（属性参数值如有纰漏请以PDF为准） | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | MOS(场效应管) | |
| 漏源电压（Vdss） | 60V | |
| 最大功率耗散（Ta=25°C） | 2W | |
| 类型 | N沟道 |
ZXMN6A11GTA由DIODES(美台)设计生产,在芯云购商城现货销售,ZXMN6A11GTA价格参考￥6.370500。DIODES(美台)ZXMN6A11GTA封装/规格：SOT-223,连续漏极电流（Id）（25°C 时）：3.1A 漏源电压（Vdss）：60V 栅源极阈值电压：3V @ 250uA 漏源导通电阻：120mΩ @ 2.5A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：2W 类型：N沟道
手机版：ZXMN6A11GTA
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