商品型号： CS3N80A3
制造厂商： 华润华晶
封装规格： TO-251(I-PAK)
商品毛重： 0.59g
商品编号： CY210675
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商品描述： 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：3A(Tc) 漏源电压（Vdss）：800V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：4.8Ω @ 1.5A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：75W(Tc) 类型：N沟道 N沟道,800V,3A,4Ω@10V
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￥8.3888
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￥8.3118
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￥8.2348
500+
￥8.1578
1000+
￥8.0789
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￥25.00
| 属性（属性参数值如有纰漏请以PDF为准） | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | MOS(场效应管) | |
| 漏源电压（Vdss） | 800V | |
| 类型 | N沟道 |
CS3N80A3由华润华晶设计生产,在芯云购商城现货销售,CS3N80A3价格参考￥8.465800。华润华晶CS3N80A3封装/规格：TO-251(I-PAK),连续漏极电流（Id）（25°C 时）：3A(Tc) 漏源电压（Vdss）：800V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：4.8Ω @ 1.5A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：75W(Tc) 类型：N沟道 N沟道,800V,3A,4Ω@10V
手机版：CS3N80A3
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