N沟道 85V 120A 4.6mΩ@10v

商品型号： CRST055N08N

制造厂商： CRMICRO(华润微)

封装规格： TO-220

商品毛重： 2.78g

商品编号： CY972540

数据手册：在线预览

商品描述：连续漏极电流（Id）（25°C 时）：120A(Tc) 漏源电压（Vdss）：85V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：5.5mΩ @ 50A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：174W(Tc) 类型：N沟道

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规格参数
PDF数据手册

属性（属性参数值如有纰漏请以PDF为准）	参数值
商品目录	MOS(场效应管)
漏源电压（Vdss）	85V
类型	N沟道

连续漏极电流（Id）（25°C 时）：120A(Tc) 漏源电压（Vdss）：85V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：5.5mΩ @ 50A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：174W(Tc) 类型：N沟道

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CRST055N08N由CRMICRO(华润微)设计生产,在芯云购商城现货销售,CRST055N08N价格参考￥2.242700。CRMICRO(华润微)CRST055N08N封装/规格：TO-220,连续漏极电流（Id）（25°C 时）：120A(Tc) 漏源电压（Vdss）：85V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：5.5mΩ @ 50A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：174W(Tc) 类型：N沟道

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