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DMT6008LFG-7

商品型号： DMT6008LFG-7

制造厂商： DIODES(美台)

封装规格： POWERDI3333-8

商品毛重： 0.06g

商品编号： CY169391

数据手册：在线预览

商品描述：连续漏极电流（Id）（25°C 时）：13A 漏源电压（Vdss）：60V 栅源极阈值电压：2V @ 250uA 漏源导通电阻：7.5mΩ @ 20A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：2.2W 类型：N沟道

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规格参数
PDF数据手册

属性（属性参数值如有纰漏请以PDF为准）	参数值
商品目录	MOS(场效应管)
漏源电压（Vdss）	60V
连续漏极电流（Id）（25°C 时）	13A
类型	N沟道

连续漏极电流（Id）（25°C 时）：13A 漏源电压（Vdss）：60V 栅源极阈值电压：2V @ 250uA 漏源导通电阻：7.5mΩ @ 20A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：2.2W 类型：N沟道

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DMT6008LFG-7由DIODES(美台)设计生产,在芯云购商城现货销售,DMT6008LFG-7价格参考￥5.281000。DIODES(美台)DMT6008LFG-7封装/规格：POWERDI3333-8,连续漏极电流（Id）（25°C 时）：13A 漏源电压（Vdss）：60V 栅源极阈值电压：2V @ 250uA 漏源导通电阻：7.5mΩ @ 20A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：2.2W 类型：N沟道

手机版：DMT6008LFG-7