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KIA3510AB

商品型号: KIA3510AB

制造厂商: KIA 半导体

封装规格: TO-263-2

商品毛重: 2.44g

商品编号: CY783337

数据手册: 在线预览

商品描述: 连续漏极电流(Id)(25°C 时):75A 漏源电压(Vdss):100V 栅源极阈值电压:4V @ 250uA 漏源导通电阻:11mΩ @ 50A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):166W 类型:N沟道 N沟道,100V,75A

交货地:国内 货期(工作日):立即发货

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总   价: ¥8.32

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属性(属性参数值如有纰漏请以PDF为准) 参数值
商品目录 MOS(场效应管)
漏源电压(Vdss) 100V
类型 N沟道
连续漏极电流(Id)(25°C 时):75A 漏源电压(Vdss):100V 栅源极阈值电压:4V @ 250uA 漏源导通电阻:11mΩ @ 50A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):166W 类型:N沟道 N沟道,100V,75A

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KIA3510AB由KIA 半导体设计生产,在芯云购商城现货销售,KIA3510AB价格参考¥8.317000。KIA 半导体KIA3510AB封装/规格:TO-263-2,连续漏极电流(Id)(25°C 时):75A 漏源电压(Vdss):100V 栅源极阈值电压:4V @ 250uA 漏源导通电阻:11mΩ @ 50A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):166W 类型:N沟道 N沟道,100V,75A

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