商品型号: KIA3510AB
制造厂商: KIA 半导体
封装规格: TO-263-2
商品毛重: 2.44g
商品编号: CY783337
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商品描述: 连续漏极电流(Id)(25°C 时):75A 漏源电压(Vdss):100V 栅源极阈值电压:4V @ 250uA 漏源导通电阻:11mΩ @ 50A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):166W 类型:N沟道 N沟道,100V,75A
数量
价格
1+
¥8.317
10+
¥8.2659
30+
¥8.2148
100+
¥8.1611
500+
¥8.1074
1000+
¥8.0537
品牌: ST(意法半导体)
封装: RD91
¥38.00
品牌: ST(意法半导体)
封装: LQFP48
¥15.00
品牌: IXYS
封装: TO-247
¥25.00
品牌: ST(意法半导体)
封装: LQFP-176
¥120.00
品牌: ST(意法半导体)
封装: TO3P
¥25.00
属性(属性参数值如有纰漏请以PDF为准) | 参数值 | |
---|---|---|
商品目录 | MOS(场效应管) | |
漏源电压(Vdss) | 100V | |
类型 | N沟道 |
KIA3510AB由KIA 半导体设计生产,在芯云购商城现货销售,KIA3510AB价格参考¥8.317000。KIA 半导体KIA3510AB封装/规格:TO-263-2,连续漏极电流(Id)(25°C 时):75A 漏源电压(Vdss):100V 栅源极阈值电压:4V @ 250uA 漏源导通电阻:11mΩ @ 50A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):166W 类型:N沟道 N沟道,100V,75A
手机版:KIA3510AB
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