商品型号： TSF18N20M
制造厂商： Truesemi(信安)
封装规格： TO-220F
商品毛重： 2.72g
商品编号： CY853493
数据手册：
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商品描述： 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：18A 漏源电压（Vdss）：200V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：170mΩ @ 9A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：35W 类型：N沟道
数量
价格
1+
￥9.2276
10+
￥9.1906
30+
￥9.1536
100+
￥9.1166
500+
￥9.0796
1000+
￥9.0398
品牌： ST(意法半导体)
封装： RD91
￥38.00
品牌： ST(意法半导体)
封装： LQFP48
￥15.00
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封装： TO-247
￥25.00
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封装： LQFP-176
￥120.00
品牌： ST(意法半导体)
封装： TO3P
￥25.00
| 属性（属性参数值如有纰漏请以PDF为准） | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | MOS(场效应管) | |
| 漏源电压（Vdss） | 200V | |
| 最大功率耗散（Ta=25°C） | 35W | |
| 类型 | N沟道 |
TSF18N20M由Truesemi(信安)设计生产,在芯云购商城现货销售,TSF18N20M价格参考￥9.227600。Truesemi(信安)TSF18N20M封装/规格：TO-220F,连续漏极电流（Id）（25°C 时）：18A 漏源电压（Vdss）：200V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：170mΩ @ 9A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：35W 类型：N沟道
手机版：TSF18N20M
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