商品型号: NTB25P06T4G
制造厂商: ON(安森美)
封装规格: TO-263-2
商品毛重: 1.73g
商品编号: CY639910
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商品描述: 连续漏极电流(Id)(25°C 时):27.5A 漏源电压(Vdss):-60V 栅源极阈值电压:4V @ 250uA 漏源导通电阻:82mΩ @ 25A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):120W(Tj) 类型:P沟道 P沟道,60V,27.5A
数量
价格
1+
¥4.492
10+
¥4.4108
30+
¥4.3296
100+
¥4.2484
500+
¥4.1656
1000+
¥4.0828
品牌: ST(意法半导体)
封装: RD91
¥38.00
品牌: ST(意法半导体)
封装: LQFP48
¥15.00
品牌: IXYS
封装: TO-247
¥25.00
品牌: ST(意法半导体)
封装: LQFP-176
¥120.00
品牌: ST(意法半导体)
封装: TO3P
¥25.00
属性(属性参数值如有纰漏请以PDF为准) | 参数值 | |
---|---|---|
商品目录 | MOS(场效应管) | |
类型 | P沟道 |
NTB25P06T4G由ON(安森美)设计生产,在芯云购商城现货销售,NTB25P06T4G价格参考¥4.492000。ON(安森美)NTB25P06T4G封装/规格:TO-263-2,连续漏极电流(Id)(25°C 时):27.5A 漏源电压(Vdss):-60V 栅源极阈值电压:4V @ 250uA 漏源导通电阻:82mΩ @ 25A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):120W(Tj) 类型:P沟道 P沟道,60V,27.5A
手机版:NTB25P06T4G
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