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NTB25P06T4G

商品型号： NTB25P06T4G

制造厂商： ON(安森美)

封装规格： TO-263-2

商品毛重： 1.73g

商品编号： CY639910

数据手册：在线预览

商品描述：连续漏极电流（Id）（25°C 时）：27.5A 漏源电压（Vdss）：-60V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：82mΩ @ 25A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：120W(Tj) 类型：P沟道 P沟道，60V,27.5A

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规格参数
PDF数据手册

属性（属性参数值如有纰漏请以PDF为准）	参数值
商品目录	MOS(场效应管)
类型	P沟道

连续漏极电流（Id）（25°C 时）：27.5A 漏源电压（Vdss）：-60V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：82mΩ @ 25A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：120W(Tj) 类型：P沟道 P沟道，60V,27.5A

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NTB25P06T4G由ON(安森美)设计生产,在芯云购商城现货销售,NTB25P06T4G价格参考￥4.492000。ON(安森美)NTB25P06T4G封装/规格：TO-263-2,连续漏极电流（Id）（25°C 时）：27.5A 漏源电压（Vdss）：-60V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：82mΩ @ 25A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：120W(Tj) 类型：P沟道 P沟道，60V,27.5A

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