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NTB25P06T4G

商品型号: NTB25P06T4G

制造厂商: ON(安森美)

封装规格: TO-263-2

商品毛重: 1.73g

商品编号: CY639910

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商品描述: 连续漏极电流(Id)(25°C 时):27.5A 漏源电压(Vdss):-60V 栅源极阈值电压:4V @ 250uA 漏源导通电阻:82mΩ @ 25A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):120W(Tj) 类型:P沟道 P沟道,60V,27.5A

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属性(属性参数值如有纰漏请以PDF为准) 参数值
商品目录 MOS(场效应管)
类型 P沟道
连续漏极电流(Id)(25°C 时):27.5A 漏源电压(Vdss):-60V 栅源极阈值电压:4V @ 250uA 漏源导通电阻:82mΩ @ 25A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):120W(Tj) 类型:P沟道 P沟道,60V,27.5A

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NTB25P06T4G由ON(安森美)设计生产,在芯云购商城现货销售,NTB25P06T4G价格参考¥4.492000。ON(安森美)NTB25P06T4G封装/规格:TO-263-2,连续漏极电流(Id)(25°C 时):27.5A 漏源电压(Vdss):-60V 栅源极阈值电压:4V @ 250uA 漏源导通电阻:82mΩ @ 25A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):120W(Tj) 类型:P沟道 P沟道,60V,27.5A

手机版:NTB25P06T4G