商品型号： TSF12N65M
制造厂商： Truesemi(信安)
封装规格： TO-220F
商品毛重： 2.80g
商品编号： CY685362
数据手册：
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商品描述： 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：12A(Tc) 漏源电压（Vdss）：650V 栅源极阈值电压：5V @ 250uA 漏源导通电阻：750mΩ @ 6A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：54W(Tc) 类型：N沟道 N沟道，650V，12A，0.75Ω
数量
价格
1+
￥6.0236
10+
￥6.022
30+
￥6.0176
100+
￥6.0132
500+
￥6.0088
1000+
￥6.0044
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￥38.00
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￥120.00
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￥25.00
| 属性（属性参数值如有纰漏请以PDF为准） | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | MOS(场效应管) | |
| 漏源电压（Vdss） | 650V | |
| 栅源极阈值电压 | 5V @ 250uA | |
| 类型 | N沟道 |
TSF12N65M由Truesemi(信安)设计生产,在芯云购商城现货销售,TSF12N65M价格参考￥6.023600。Truesemi(信安)TSF12N65M封装/规格：TO-220F,连续漏极电流（Id）（25°C 时）：12A(Tc) 漏源电压（Vdss）：650V 栅源极阈值电压：5V @ 250uA 漏源导通电阻：750mΩ @ 6A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：54W(Tc) 类型：N沟道 N沟道，650V，12A，0.75Ω
手机版：TSF12N65M
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