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NTTFS4C25NTAG

商品型号： NTTFS4C25NTAG

制造厂商： ON(安森美)

封装规格： WDFN-8

商品毛重： 0.09g

商品编号： CY511096

数据手册：在线预览

商品描述：连续漏极电流（Id）（25°C 时）：5A 漏源电压（Vdss）：30V 栅源极阈值电压：2.2V @ 250uA 漏源导通电阻：17mΩ @ 10A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：690mW 类型：N沟道 N-CH 30V 27A

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规格参数
PDF数据手册

属性（属性参数值如有纰漏请以PDF为准）	参数值
商品目录	MOS(场效应管)
漏源电压（Vdss）	30V
连续漏极电流（Id）（25°C 时）	5A
类型	N沟道

连续漏极电流（Id）（25°C 时）：5A 漏源电压（Vdss）：30V 栅源极阈值电压：2.2V @ 250uA 漏源导通电阻：17mΩ @ 10A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：690mW 类型：N沟道 N-CH 30V 27A

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NTTFS4C25NTAG由ON(安森美)设计生产,在芯云购商城现货销售,NTTFS4C25NTAG价格参考￥4.082600。ON(安森美)NTTFS4C25NTAG封装/规格：WDFN-8,连续漏极电流（Id）（25°C 时）：5A 漏源电压（Vdss）：30V 栅源极阈值电压：2.2V @ 250uA 漏源导通电阻：17mΩ @ 10A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：690mW 类型：N沟道 N-CH 30V 27A

手机版：NTTFS4C25NTAG