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PSMN7R0-60YS,115

商品型号: PSMN7R0-60YS,115

制造厂商: Nexperia(安世)

封装规格: SOT-669

商品毛重: 0.13g

商品编号: CY985285

数据手册: 在线预览

商品描述: 连续漏极电流(Id)(25°C 时):89A(Tc) 漏源电压(Vdss):60V 栅源极阈值电压:4V @ 1mA 漏源导通电阻:6.4mΩ @ 15A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):117W(Tc) 类型:N沟道

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属性(属性参数值如有纰漏请以PDF为准) 参数值
商品目录 MOS(场效应管)
漏源电压(Vdss) 60V
类型 N沟道
连续漏极电流(Id)(25°C 时):89A(Tc) 漏源电压(Vdss):60V 栅源极阈值电压:4V @ 1mA 漏源导通电阻:6.4mΩ @ 15A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):117W(Tc) 类型:N沟道

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PSMN7R0-60YS,115由Nexperia(安世)设计生产,在芯云购商城现货销售,PSMN7R0-60YS,115价格参考¥3.447300。Nexperia(安世)PSMN7R0-60YS,115封装/规格:SOT-669,连续漏极电流(Id)(25°C 时):89A(Tc) 漏源电压(Vdss):60V 栅源极阈值电压:4V @ 1mA 漏源导通电阻:6.4mΩ @ 15A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):117W(Tc) 类型:N沟道

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