商品型号： BRI5N50
制造厂商： BLUE ROCKET(蓝箭)
封装规格： TO-251
商品毛重： 0.65g
商品编号： CY823130
数据手册：
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商品描述： 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：5A(Tc) 漏源电压（Vdss）：500V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：1.4Ω @ 2.5A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：2.5W 类型：N沟道
数量
价格
1+
￥3.2024
10+
￥3.17
30+
￥3.1376
100+
￥3.1032
500+
￥3.0688
1000+
￥3.0344
品牌： ST(意法半导体)
封装： RD91
￥38.00
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￥15.00
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￥120.00
品牌： ST(意法半导体)
封装： TO3P
￥25.00
| 属性（属性参数值如有纰漏请以PDF为准） | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | MOS(场效应管) | |
| 漏源电压（Vdss） | 500V | |
| 最大功率耗散（Ta=25°C） | 2.5W | |
| 类型 | N沟道 |
BRI5N50由BLUE ROCKET(蓝箭)设计生产,在芯云购商城现货销售,BRI5N50价格参考￥3.202400。BLUE ROCKET(蓝箭)BRI5N50封装/规格：TO-251,连续漏极电流（Id）（25°C 时）：5A(Tc) 漏源电压（Vdss）：500V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：1.4Ω @ 2.5A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：2.5W 类型：N沟道
手机版：BRI5N50
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