商品型号: NCEP01T13D
制造厂商: 无锡新洁能
封装规格: TO-263-2
商品毛重: 2.02g
商品编号: CY709907
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商品描述: 连续漏极电流(Id)(25°C 时):150A(Tc) 漏源电压(Vdss):100V 栅源极阈值电压:4.5V @ 250uA 漏源导通电阻:4.5mΩ @ 60A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):220W(Tc) 类型:N沟道 NMOS,100V/135A,RDS(ON)=3.7mR (typ) @ VGS=10V
数量
价格
1+
¥7.5343
10+
¥7.4475
30+
¥7.358
100+
¥7.2685
500+
¥7.179
1000+
¥7.0895
品牌: ST(意法半导体)
封装: RD91
¥38.00
品牌: ST(意法半导体)
封装: LQFP48
¥15.00
品牌: IXYS
封装: TO-247
¥25.00
品牌: ST(意法半导体)
封装: LQFP-176
¥120.00
品牌: ST(意法半导体)
封装: TO3P
¥25.00
属性(属性参数值如有纰漏请以PDF为准) | 参数值 | |
---|---|---|
商品目录 | MOS(场效应管) | |
漏源电压(Vdss) | 100V | |
类型 | N沟道 |
NCEP01T13D由无锡新洁能设计生产,在芯云购商城现货销售,NCEP01T13D价格参考¥7.534300。无锡新洁能NCEP01T13D封装/规格:TO-263-2,连续漏极电流(Id)(25°C 时):150A(Tc) 漏源电压(Vdss):100V 栅源极阈值电压:4.5V @ 250uA 漏源导通电阻:4.5mΩ @ 60A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):220W(Tc) 类型:N沟道 NMOS,100V/135A,RDS(ON)=3.7mR (typ) @ VGS=10V
手机版:NCEP01T13D
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