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NCEP01T13D

商品型号: NCEP01T13D

制造厂商: 无锡新洁能

封装规格: TO-263-2

商品毛重: 2.02g

商品编号: CY709907

数据手册: 在线预览

商品描述: 连续漏极电流(Id)(25°C 时):150A(Tc) 漏源电压(Vdss):100V 栅源极阈值电压:4.5V @ 250uA 漏源导通电阻:4.5mΩ @ 60A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):220W(Tc) 类型:N沟道 NMOS,100V/135A,RDS(ON)=3.7mR (typ) @ VGS=10V

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属性(属性参数值如有纰漏请以PDF为准) 参数值
商品目录 MOS(场效应管)
漏源电压(Vdss) 100V
类型 N沟道
连续漏极电流(Id)(25°C 时):150A(Tc) 漏源电压(Vdss):100V 栅源极阈值电压:4.5V @ 250uA 漏源导通电阻:4.5mΩ @ 60A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):220W(Tc) 类型:N沟道 NMOS,100V/135A,RDS(ON)=3.7mR (typ) @ VGS=10V

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NCEP01T13D由无锡新洁能设计生产,在芯云购商城现货销售,NCEP01T13D价格参考¥7.534300。无锡新洁能NCEP01T13D封装/规格:TO-263-2,连续漏极电流(Id)(25°C 时):150A(Tc) 漏源电压(Vdss):100V 栅源极阈值电压:4.5V @ 250uA 漏源导通电阻:4.5mΩ @ 60A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):220W(Tc) 类型:N沟道 NMOS,100V/135A,RDS(ON)=3.7mR (typ) @ VGS=10V

手机版:NCEP01T13D