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NCEP01T13D

商品型号： NCEP01T13D

制造厂商：无锡新洁能

封装规格： TO-263-2

商品毛重： 2.02g

商品编号： CY709907

数据手册：在线预览

商品描述：连续漏极电流（Id）（25°C 时）：150A(Tc) 漏源电压（Vdss）：100V 栅源极阈值电压：4.5V @ 250uA 漏源导通电阻：4.5mΩ @ 60A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：220W(Tc) 类型：N沟道 NMOS，100V/135A，RDS(ON)=3.7mR (typ) @ VGS=10V

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规格参数
PDF数据手册

属性（属性参数值如有纰漏请以PDF为准）	参数值
商品目录	MOS(场效应管)
漏源电压（Vdss）	100V
类型	N沟道

连续漏极电流（Id）（25°C 时）：150A(Tc) 漏源电压（Vdss）：100V 栅源极阈值电压：4.5V @ 250uA 漏源导通电阻：4.5mΩ @ 60A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：220W(Tc) 类型：N沟道 NMOS，100V/135A，RDS(ON)=3.7mR (typ) @ VGS=10V

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NCEP01T13D由无锡新洁能设计生产,在芯云购商城现货销售,NCEP01T13D价格参考￥7.534300。无锡新洁能NCEP01T13D封装/规格：TO-263-2,连续漏极电流（Id）（25°C 时）：150A(Tc) 漏源电压（Vdss）：100V 栅源极阈值电压：4.5V @ 250uA 漏源导通电阻：4.5mΩ @ 60A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：220W(Tc) 类型：N沟道 NMOS，100V/135A，RDS(ON)=3.7mR (typ) @ VGS=10V

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