商品型号： ZVN4525GTA
制造厂商： DIODES(美台)
封装规格： SOT-223
商品毛重： 0.23g
商品编号： CY251723
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商品描述： 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：310mA 漏源电压（Vdss）：250V 栅源极阈值电压：1.8V @ 1mA 漏源导通电阻：8.5Ω @ 500mA,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：2W 类型：N沟道 N沟道,250V,310mA,8.5Ω@10V
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| 属性（属性参数值如有纰漏请以PDF为准） | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | MOS(场效应管) | |
| 漏源电压（Vdss） | 250V | |
| 最大功率耗散（Ta=25°C） | 2W | |
| 类型 | N沟道 |
ZVN4525GTA由DIODES(美台)设计生产,在芯云购商城现货销售,ZVN4525GTA价格参考￥7.421800。DIODES(美台)ZVN4525GTA封装/规格：SOT-223,连续漏极电流（Id）（25°C 时）：310mA 漏源电压（Vdss）：250V 栅源极阈值电压：1.8V @ 1mA 漏源导通电阻：8.5Ω @ 500mA,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：2W 类型：N沟道 N沟道,250V,310mA,8.5Ω@10V
手机版：ZVN4525GTA
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