商品型号： P1010AT
制造厂商： 3PEAK
封装规格： TO-220
商品毛重： 3.20g
商品编号： CY516070
数据手册：
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商品描述： 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：69A 漏源电压（Vdss）：100V 栅源极阈值电压：4.5V @ 250uA 漏源导通电阻：10.5mΩ @ 20A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：115W 类型：N沟道
数量
价格
1+
￥3.196
10+
￥3.0992
30+
￥3.0024
100+
￥3.0018
500+
￥3.0012
1000+
￥3.0006
品牌： ST(意法半导体)
封装： RD91
￥38.00
品牌： ST(意法半导体)
封装： LQFP48
￥15.00
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封装： TO-247
￥25.00
品牌： ST(意法半导体)
封装： LQFP-176
￥120.00
品牌： ST(意法半导体)
封装： TO3P
￥25.00
| 属性（属性参数值如有纰漏请以PDF为准） | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | MOS(场效应管) | |
| 漏源电压（Vdss） | 100V | |
| 类型 | N沟道 |
P1010AT由3PEAK设计生产,在芯云购商城现货销售,P1010AT价格参考￥3.196000。3PEAKP1010AT封装/规格：TO-220,连续漏极电流（Id）（25°C 时）：69A 漏源电压（Vdss）：100V 栅源极阈值电压：4.5V @ 250uA 漏源导通电阻：10.5mΩ @ 20A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：115W 类型：N沟道
手机版：P1010AT
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