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WFU5N65L

商品型号: WFU5N65L

制造厂商: Winsemi(稳先微)

封装规格: TO-251

商品毛重: 0.58g

商品编号: CY646452

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商品描述: 连续漏极电流(Id)(25°C 时):5A(Tc) 漏源电压(Vdss):650V 栅源极阈值电压:4V @ 250uA 漏源导通电阻:2.7Ω @ 2A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):77W(Tc) 类型:N沟道

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属性(属性参数值如有纰漏请以PDF为准) 参数值
商品目录 MOS(场效应管)
漏源电压(Vdss) 650V
类型 N沟道
连续漏极电流(Id)(25°C 时):5A(Tc) 漏源电压(Vdss):650V 栅源极阈值电压:4V @ 250uA 漏源导通电阻:2.7Ω @ 2A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):77W(Tc) 类型:N沟道

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WFU5N65L由Winsemi(稳先微)设计生产,在芯云购商城现货销售,WFU5N65L价格参考¥7.389600。Winsemi(稳先微)WFU5N65L封装/规格:TO-251,连续漏极电流(Id)(25°C 时):5A(Tc) 漏源电压(Vdss):650V 栅源极阈值电压:4V @ 250uA 漏源导通电阻:2.7Ω @ 2A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):77W(Tc) 类型:N沟道

手机版:WFU5N65L