商品型号： WSD2012DN25
制造厂商： WINSOK微硕
封装规格： DFN 2x5
商品毛重： 0.07g
商品编号： CY786040
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商品描述： 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：11A 漏源电压（Vdss）：-20V 栅源极阈值电压：1V @ 250uA 漏源导通电阻：9.5mΩ @ 5.5A,4.5V 最大功率耗散（Ta=25°C）：1.7W 类型：双N沟道 双N沟道.20V.11A.9.5mΩ.
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| 属性（属性参数值如有纰漏请以PDF为准） | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | MOS(场效应管) | |
| 连续漏极电流（Id）（25°C 时） | 11A | |
| 类型 | 双N沟道 |
WSD2012DN25由WINSOK微硕设计生产,在芯云购商城现货销售,WSD2012DN25价格参考￥1.292500。WINSOK微硕WSD2012DN25封装/规格：DFN 2x5,连续漏极电流（Id）（25°C 时）：11A 漏源电压（Vdss）：-20V 栅源极阈值电压：1V @ 250uA 漏源导通电阻：9.5mΩ @ 5.5A,4.5V 最大功率耗散（Ta=25°C）：1.7W 类型：双N沟道 双N沟道.20V.11A.9.5mΩ.
手机版：WSD2012DN25
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