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NTD24N06LT4G

商品型号： NTD24N06LT4G

制造厂商： ON(安森美)

封装规格： TO-252-2(DPAK)

商品毛重： 0.44g

商品编号： CY291863

数据手册：在线预览

商品描述：连续漏极电流（Id）（25°C 时）：24A 漏源电压（Vdss）：60V 栅源极阈值电压：2V @ 250uA 漏源导通电阻：45mΩ @ 10A,5V 最大功率耗散（Ta=25°C）：1.36W 类型：N沟道 N沟道,60V,24A,45mΩ@5V

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规格参数
PDF数据手册

属性（属性参数值如有纰漏请以PDF为准）	参数值
商品目录	MOS(场效应管)
漏源电压（Vdss）	60V
连续漏极电流（Id）（25°C 时）	24A
类型	N沟道

连续漏极电流（Id）（25°C 时）：24A 漏源电压（Vdss）：60V 栅源极阈值电压：2V @ 250uA 漏源导通电阻：45mΩ @ 10A,5V 最大功率耗散（Ta=25°C）：1.36W 类型：N沟道 N沟道,60V,24A,45mΩ@5V

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NTD24N06LT4G由ON(安森美)设计生产,在芯云购商城现货销售,NTD24N06LT4G价格参考￥2.548800。ON(安森美)NTD24N06LT4G封装/规格：TO-252-2(DPAK),连续漏极电流（Id）（25°C 时）：24A 漏源电压（Vdss）：60V 栅源极阈值电压：2V @ 250uA 漏源导通电阻：45mΩ @ 10A,5V 最大功率耗散（Ta=25°C）：1.36W 类型：N沟道 N沟道,60V,24A,45mΩ@5V

手机版：NTD24N06LT4G