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DMN6040SVTQ-7

商品型号： DMN6040SVTQ-7

制造厂商： DIODES(美台)

封装规格： TSOT-26

商品毛重： 0.02g

商品编号： CY066097

数据手册：在线预览

商品描述：连续漏极电流（Id）（25°C 时）：5A 漏源电压（Vdss）：60V 栅源极阈值电压：3V @ 250uA 漏源导通电阻：44mΩ @ 4.3A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：1.2W 类型：N沟道

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规格参数
PDF数据手册

属性（属性参数值如有纰漏请以PDF为准）	参数值
商品目录	MOS(场效应管)
漏源电压（Vdss）	60V
连续漏极电流（Id）（25°C 时）	5A
类型	N沟道

连续漏极电流（Id）（25°C 时）：5A 漏源电压（Vdss）：60V 栅源极阈值电压：3V @ 250uA 漏源导通电阻：44mΩ @ 4.3A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：1.2W 类型：N沟道

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DMN6040SVTQ-7由DIODES(美台)设计生产,在芯云购商城现货销售,DMN6040SVTQ-7价格参考￥8.116200。DIODES(美台)DMN6040SVTQ-7封装/规格：TSOT-26,连续漏极电流（Id）（25°C 时）：5A 漏源电压（Vdss）：60V 栅源极阈值电压：3V @ 250uA 漏源导通电阻：44mΩ @ 4.3A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：1.2W 类型：N沟道

手机版：DMN6040SVTQ-7