商品型号： LPM3413B3F
制造厂商： LOWPOWER(微源半导体)
封装规格： SOT23-3
商品毛重： 0.02g
商品编号： CY624591
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商品描述： 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：3A 漏源电压（Vdss）：-20V 栅源极阈值电压：1V @ 250uA 漏源导通电阻：95mΩ @ 3A,4.5V 最大功率耗散（Ta=25°C）：1.4W 类型：P沟道 -20V，P沟道MOS
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| 属性（属性参数值如有纰漏请以PDF为准） | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | MOS(场效应管) | |
| 连续漏极电流（Id）（25°C 时） | 3A | |
| 类型 | P沟道 |
LPM3413B3F由LOWPOWER(微源半导体)设计生产,在芯云购商城现货销售,LPM3413B3F价格参考￥6.511400。LOWPOWER(微源半导体)LPM3413B3F封装/规格：SOT23-3,连续漏极电流（Id）（25°C 时）：3A 漏源电压（Vdss）：-20V 栅源极阈值电压：1V @ 250uA 漏源导通电阻：95mΩ @ 3A,4.5V 最大功率耗散（Ta=25°C）：1.4W 类型：P沟道 -20V，P沟道MOS
手机版：LPM3413B3F
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