商品型号： CEC3172
制造厂商： CET(华瑞)
封装规格： DFN-8
商品毛重： 0.03g
商品编号： CY707063
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商品描述： 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：26A 漏源电压（Vdss）：30V 栅源极阈值电压：3V @ 250uA 漏源导通电阻：20mΩ @ 6.3A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：2.5W 类型：N沟道
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| 属性（属性参数值如有纰漏请以PDF为准） | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | MOS(场效应管) | |
| 漏源电压（Vdss） | 30V | |
| 最大功率耗散（Ta=25°C） | 2.5W | |
| 类型 | N沟道 |
CEC3172由CET(华瑞)设计生产,在芯云购商城现货销售,CEC3172价格参考￥3.157800。CET(华瑞)CEC3172封装/规格：DFN-8,连续漏极电流（Id）（25°C 时）：26A 漏源电压（Vdss）：30V 栅源极阈值电压：3V @ 250uA 漏源导通电阻：20mΩ @ 6.3A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：2.5W 类型：N沟道
手机版：CEC3172
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