商品型号： 2N65G-TN3-R
制造厂商： 3PEAK
封装规格： TO-252
商品毛重： 0.50g
商品编号： CY322837
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商品描述： 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：2A 漏源电压（Vdss）：650V 栅源极阈值电压：1.4V @ 250uA 漏源导通电阻：9.5Ω @ 1A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：44W 类型：N沟道
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| 属性（属性参数值如有纰漏请以PDF为准） | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | MOS(场效应管) | |
| 漏源电压（Vdss） | 650V | |
| 连续漏极电流（Id）（25°C 时） | 2A | |
| 类型 | N沟道 |
2N65G-TN3-R由3PEAK设计生产,在芯云购商城现货销售,2N65G-TN3-R价格参考￥1.447600。3PEAK2N65G-TN3-R封装/规格：TO-252,连续漏极电流（Id）（25°C 时）：2A 漏源电压（Vdss）：650V 栅源极阈值电压：1.4V @ 250uA 漏源导通电阻：9.5Ω @ 1A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：44W 类型：N沟道
手机版：2N65G-TN3-R
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