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LN8340DT1AG

商品型号: LN8340DT1AG

制造厂商: LRC(乐山无线电)

封装规格: DFN3030-8B

商品毛重: 0.04g

商品编号: CY636685

数据手册: 在线预览

商品描述: 连续漏极电流(Id)(25°C 时):17A 漏源电压(Vdss):30V 栅源极阈值电压:1V @ 250uA(最小) 漏源导通电阻:9mΩ @ 12.8A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):3.5W 类型:N沟道

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总   价: ¥42.91

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属性(属性参数值如有纰漏请以PDF为准) 参数值
商品目录 MOS(场效应管)
漏源电压(Vdss) 30V
类型 N沟道
连续漏极电流(Id)(25°C 时):17A 漏源电压(Vdss):30V 栅源极阈值电压:1V @ 250uA(最小) 漏源导通电阻:9mΩ @ 12.8A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):3.5W 类型:N沟道

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LN8340DT1AG由LRC(乐山无线电)设计生产,在芯云购商城现货销售,LN8340DT1AG价格参考¥8.582400。LRC(乐山无线电)LN8340DT1AG封装/规格:DFN3030-8B,连续漏极电流(Id)(25°C 时):17A 漏源电压(Vdss):30V 栅源极阈值电压:1V @ 250uA(最小) 漏源导通电阻:9mΩ @ 12.8A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):3.5W 类型:N沟道

手机版:LN8340DT1AG