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FQPF11P06

商品型号： FQPF11P06

制造厂商： ON(安森美)

封装规格： TO-220F(TO-220IS)

商品毛重： 2.89g

商品编号： CY019051

数据手册：在线预览

商品描述：连续漏极电流（Id）（25°C 时）：8.6A 漏源电压（Vdss）：-60V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：175mΩ @ 4.3A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：30W 类型：P沟道 P沟道 -60V 8.6A

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规格参数
PDF数据手册

属性（属性参数值如有纰漏请以PDF为准）	参数值
商品目录	MOS(场效应管)
类型	P沟道

连续漏极电流（Id）（25°C 时）：8.6A 漏源电压（Vdss）：-60V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：175mΩ @ 4.3A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：30W 类型：P沟道 P沟道 -60V 8.6A

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FQPF11P06由ON(安森美)设计生产,在芯云购商城现货销售,FQPF11P06价格参考￥4.090300。ON(安森美)FQPF11P06封装/规格：TO-220F(TO-220IS),连续漏极电流（Id）（25°C 时）：8.6A 漏源电压（Vdss）：-60V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：175mΩ @ 4.3A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：30W 类型：P沟道 P沟道 -60V 8.6A

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