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IRFR13N20DTRPBF

商品型号： IRFR13N20DTRPBF

制造厂商： Infineon(英飞凌)

封装规格： TO-252-2(DPAK)

商品毛重： 5.49g

商品编号： CY430999

数据手册：在线预览

商品描述：连续漏极电流（Id）（25°C 时）：13A 漏源电压（Vdss）：200V 栅源极阈值电压：5.5V @ 250uA 漏源导通电阻：235mΩ @ 8A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：110W 类型：N沟道 N沟道,200V,13A,235mΩ@10V

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规格参数
PDF数据手册

属性（属性参数值如有纰漏请以PDF为准）	参数值
商品目录	MOS(场效应管)
漏源电压（Vdss）	200V
连续漏极电流（Id）（25°C 时）	13A
栅源极阈值电压	5.5V @ 250uA
类型	N沟道

连续漏极电流（Id）（25°C 时）：13A 漏源电压（Vdss）：200V 栅源极阈值电压：5.5V @ 250uA 漏源导通电阻：235mΩ @ 8A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：110W 类型：N沟道 N沟道,200V,13A,235mΩ@10V

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IRFR13N20DTRPBF由Infineon(英飞凌)设计生产,在芯云购商城现货销售,IRFR13N20DTRPBF价格参考￥4.579200。Infineon(英飞凌)IRFR13N20DTRPBF封装/规格：TO-252-2(DPAK),连续漏极电流（Id）（25°C 时）：13A 漏源电压（Vdss）：200V 栅源极阈值电压：5.5V @ 250uA 漏源导通电阻：235mΩ @ 8A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：110W 类型：N沟道 N沟道,200V,13A,235mΩ@10V

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