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NTMS4807NR2G

商品型号： NTMS4807NR2G

制造厂商： ON(安森美)

封装规格： SOIC-8_150mil

商品毛重： 0.21g

商品编号： CY538184

数据手册：在线预览

商品描述：连续漏极电流（Id）（25°C 时）：14.8A 漏源电压（Vdss）：30V 栅源极阈值电压：3V @ 250uA 漏源导通电阻：6.1mΩ @ 14.8A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：860mW 类型：N沟道 N沟道，30V，14.8A，6.1mΩ@10V

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规格参数
PDF数据手册

属性（属性参数值如有纰漏请以PDF为准）	参数值
商品目录	MOS(场效应管)
漏源电压（Vdss）	30V
类型	N沟道

连续漏极电流（Id）（25°C 时）：14.8A 漏源电压（Vdss）：30V 栅源极阈值电压：3V @ 250uA 漏源导通电阻：6.1mΩ @ 14.8A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：860mW 类型：N沟道 N沟道，30V，14.8A，6.1mΩ@10V

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NTMS4807NR2G由ON(安森美)设计生产,在芯云购商城现货销售,NTMS4807NR2G价格参考￥2.498800。ON(安森美)NTMS4807NR2G封装/规格：SOIC-8_150mil,连续漏极电流（Id）（25°C 时）：14.8A 漏源电压（Vdss）：30V 栅源极阈值电压：3V @ 250uA 漏源导通电阻：6.1mΩ @ 14.8A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：860mW 类型：N沟道 N沟道，30V，14.8A，6.1mΩ@10V

手机版：NTMS4807NR2G