商品型号： HSS1N20
制造厂商： HUASHUO(华朔)
封装规格： SOT-23L
商品毛重： 0.03g
商品编号： CY991741
数据手册：
在线预览
商品描述： 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：1A 漏源电压（Vdss）：200V 栅源极阈值电压：2.5V @ 250uA 漏源导通电阻：1.9Ω @ 1A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：0.71W 类型：N沟道
交货地:国内 货期(工作日):立即发货
库 存:现货4556(3000起订)
数 量: X ￥8.5914
总 价: ￥85.91
包 装:「圆盘 / 3000」
近期成交:0单
在线咨询成功加入购物车
数量
价格
10+
￥8.5914
100+
￥8.4955
300+
￥8.3964
1000+
￥8.2973
5000+
￥8.1982
10000+
￥8.0991
品牌： ST(意法半导体)
封装： RD91
￥38.00
品牌： ST(意法半导体)
封装： LQFP48
￥15.00
品牌： IXYS
封装： TO-247
￥25.00
品牌： ST(意法半导体)
封装： LQFP-176
￥120.00
品牌： ST(意法半导体)
封装： TO3P
￥25.00
| 属性（属性参数值如有纰漏请以PDF为准） | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | MOS(场效应管) | |
| 漏源电压（Vdss） | 200V | |
| 连续漏极电流（Id）（25°C 时） | 1A | |
| 类型 | N沟道 |
HSS1N20由HUASHUO(华朔)设计生产,在芯云购商城现货销售,HSS1N20价格参考￥8.591400。HUASHUO(华朔)HSS1N20封装/规格：SOT-23L,连续漏极电流（Id）（25°C 时）：1A 漏源电压（Vdss）：200V 栅源极阈值电压：2.5V @ 250uA 漏源导通电阻：1.9Ω @ 1A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：0.71W 类型：N沟道
手机版：HSS1N20
20万现货SKU
品类不断扩充
科技智能大仓储
4小时快速交货
仅从原厂和代理商进货
每一颗料均可原厂追溯
明码标价节省时间成本
一站式采购正品元器件
工商网监