商品型号： FIR7N65FG
制造厂商： 3PEAK
封装规格： TO-220F(TO-220IS)
商品毛重： 2.76g
商品编号： CY227809
数据手册：
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商品描述： 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：7A 漏源电压（Vdss）：650V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：1.4Ω @ 3.5A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：145W 类型：N沟道 7N65，7A，650V高性价比MOS
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10+
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30+
￥1.2574
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￥1.194
500+
￥1.1306
1000+
￥1.0653
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￥25.00
| 属性（属性参数值如有纰漏请以PDF为准） | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | MOS(场效应管) | |
| 漏源电压（Vdss） | 650V | |
| 连续漏极电流（Id）（25°C 时） | 7A | |
| 类型 | N沟道 |
FIR7N65FG由3PEAK设计生产,在芯云购商城现货销售,FIR7N65FG价格参考￥1.384200。3PEAKFIR7N65FG封装/规格：TO-220F(TO-220IS),连续漏极电流（Id）（25°C 时）：7A 漏源电压（Vdss）：650V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：1.4Ω @ 3.5A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：145W 类型：N沟道 7N65，7A，650V高性价比MOS
手机版：FIR7N65FG
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