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AS3019E

商品型号: AS3019E

制造厂商: AnBon 安邦

封装规格: SOT-523

商品毛重: 0.03g

商品编号: CY001549

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商品描述: 连续漏极电流(Id)(25°C 时):100mA 漏源电压(Vdss):30V 栅源极阈值电压:1.5V @ 250uA 漏源导通电阻:8Ω @ 10mA,4V 最大功率耗散(Ta=25°C):150mW 类型:N沟道

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属性(属性参数值如有纰漏请以PDF为准) 参数值
商品目录 MOS(场效应管)
漏源电压(Vdss) 30V
连续漏极电流(Id)(25°C 时) 100mA
最大功率耗散(Ta=25°C) 150mW
类型 N沟道
连续漏极电流(Id)(25°C 时):100mA 漏源电压(Vdss):30V 栅源极阈值电压:1.5V @ 250uA 漏源导通电阻:8Ω @ 10mA,4V 最大功率耗散(Ta=25°C):150mW 类型:N沟道

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AS3019E由AnBon 安邦设计生产,在芯云购商城现货销售,AS3019E价格参考¥5.450000。AnBon 安邦AS3019E封装/规格:SOT-523,连续漏极电流(Id)(25°C 时):100mA 漏源电压(Vdss):30V 栅源极阈值电压:1.5V @ 250uA 漏源导通电阻:8Ω @ 10mA,4V 最大功率耗散(Ta=25°C):150mW 类型:N沟道

手机版:AS3019E