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ZVN4206GTA

商品型号: ZVN4206GTA

制造厂商: DIODES(美台)

封装规格: SOT-223

商品毛重: 0.23g

商品编号: CY019214

数据手册: 在线预览

商品描述: 连续漏极电流(Id)(25°C 时):1A 漏源电压(Vdss):60V 栅源极阈值电压:3V @ 1mA 漏源导通电阻:1Ω @ 1.5A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):2W 类型:N沟道 N沟道,60V,1A,1Ω@10V

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属性(属性参数值如有纰漏请以PDF为准) 参数值
商品目录 MOS(场效应管)
漏源电压(Vdss) 60V
连续漏极电流(Id)(25°C 时) 1A
最大功率耗散(Ta=25°C) 2W
类型 N沟道
连续漏极电流(Id)(25°C 时):1A 漏源电压(Vdss):60V 栅源极阈值电压:3V @ 1mA 漏源导通电阻:1Ω @ 1.5A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):2W 类型:N沟道 N沟道,60V,1A,1Ω@10V

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ZVN4206GTA由DIODES(美台)设计生产,在芯云购商城现货销售,ZVN4206GTA价格参考¥6.112900。DIODES(美台)ZVN4206GTA封装/规格:SOT-223,连续漏极电流(Id)(25°C 时):1A 漏源电压(Vdss):60V 栅源极阈值电压:3V @ 1mA 漏源导通电阻:1Ω @ 1.5A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):2W 类型:N沟道 N沟道,60V,1A,1Ω@10V

手机版:ZVN4206GTA