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NTGS5120PT1G

商品型号： NTGS5120PT1G

制造厂商： ON(安森美)

封装规格： TSOP-6

商品毛重： 0.04g

商品编号： CY474251

数据手册：在线预览

商品描述：连续漏极电流（Id）（25°C 时）：1.8A 漏源电压（Vdss）：-60V 栅源极阈值电压：3V @ 250uA 漏源导通电阻：111mΩ @ 2.9A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：600mW 类型：P沟道

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规格参数
PDF数据手册

属性（属性参数值如有纰漏请以PDF为准）	参数值
商品目录	MOS(场效应管)
连续漏极电流（Id）（25°C 时）	1.8A
类型	P沟道

连续漏极电流（Id）（25°C 时）：1.8A 漏源电压（Vdss）：-60V 栅源极阈值电压：3V @ 250uA 漏源导通电阻：111mΩ @ 2.9A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：600mW 类型：P沟道

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NTGS5120PT1G由ON(安森美)设计生产,在芯云购商城现货销售,NTGS5120PT1G价格参考￥4.376200。ON(安森美)NTGS5120PT1G封装/规格：TSOP-6,连续漏极电流（Id）（25°C 时）：1.8A 漏源电压（Vdss）：-60V 栅源极阈值电压：3V @ 250uA 漏源导通电阻：111mΩ @ 2.9A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：600mW 类型：P沟道

手机版：NTGS5120PT1G