商品型号： WSP08N10
制造厂商： WINSOK微硕
封装规格： SOP-8_150mil
商品毛重： 0.21g
商品编号： CY179880
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商品描述： 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：7A(Tc) 漏源电压（Vdss）：100V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：51mΩ @ 7A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：2.5W 类型：N沟道 N沟道.100V.7A.39mΩ
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| 属性（属性参数值如有纰漏请以PDF为准） | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | MOS(场效应管) | |
| 漏源电压（Vdss） | 100V | |
| 最大功率耗散（Ta=25°C） | 2.5W | |
| 类型 | N沟道 |
WSP08N10由WINSOK微硕设计生产,在芯云购商城现货销售,WSP08N10价格参考￥9.205400。WINSOK微硕WSP08N10封装/规格：SOP-8_150mil,连续漏极电流（Id）（25°C 时）：7A(Tc) 漏源电压（Vdss）：100V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：51mΩ @ 7A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：2.5W 类型：N沟道 N沟道.100V.7A.39mΩ
手机版：WSP08N10
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