商品型号： CEH8205
制造厂商： CET(华瑞)
封装规格： TSOP-6
商品毛重： 0.04g
商品编号： CY722447
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商品描述： 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：5.2A 漏源电压（Vdss）：20V 栅源极阈值电压：1V @ 250uA 漏源导通电阻：30mΩ @ 4.5A,4.5V 最大功率耗散（Ta=25°C）：1.14W 类型：双N沟道 N沟道,20V,5.2A,40m?@2.5V
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| 属性（属性参数值如有纰漏请以PDF为准） | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | MOS(场效应管) | |
| 漏源电压（Vdss） | 20V | |
| 类型 | 双N沟道 |
CEH8205由CET(华瑞)设计生产,在芯云购商城现货销售,CEH8205价格参考￥7.259300。CET(华瑞)CEH8205封装/规格：TSOP-6,连续漏极电流（Id）（25°C 时）：5.2A 漏源电压（Vdss）：20V 栅源极阈值电压：1V @ 250uA 漏源导通电阻：30mΩ @ 4.5A,4.5V 最大功率耗散（Ta=25°C）：1.14W 类型：双N沟道 N沟道,20V,5.2A,40m?@2.5V
手机版：CEH8205
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