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RRR040P03FRATL

商品型号： RRR040P03FRATL

制造厂商： ROHM(罗姆)

封装规格： TSMT3

商品毛重： 0.03g

商品编号： CY602202

数据手册：在线预览

商品描述：连续漏极电流（Id）（25°C 时）：4A 漏源电压（Vdss）：-30V 栅源极阈值电压：2.5V @ 1mA 漏源导通电阻：45mΩ @ 4A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：1W 类型：P沟道

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规格参数
PDF数据手册

属性（属性参数值如有纰漏请以PDF为准）	参数值
商品目录	MOS(场效应管)
连续漏极电流（Id）（25°C 时）	4A
最大功率耗散（Ta=25°C）	1W
类型	P沟道

连续漏极电流（Id）（25°C 时）：4A 漏源电压（Vdss）：-30V 栅源极阈值电压：2.5V @ 1mA 漏源导通电阻：45mΩ @ 4A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：1W 类型：P沟道

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RRR040P03FRATL由ROHM(罗姆)设计生产,在芯云购商城现货销售,RRR040P03FRATL价格参考￥6.311700。ROHM(罗姆)RRR040P03FRATL封装/规格：TSMT3,连续漏极电流（Id）（25°C 时）：4A 漏源电压（Vdss）：-30V 栅源极阈值电压：2.5V @ 1mA 漏源导通电阻：45mΩ @ 4A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：1W 类型：P沟道

手机版：RRR040P03FRATL