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WSD30L60DN56

商品型号： WSD30L60DN56

制造厂商： WINSOK微硕

封装规格： DFN5x6-8

商品毛重： 0.10g

商品编号： CY129331

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商品描述：连续漏极电流（Id）（25°C 时）：15A 漏源电压（Vdss）：-30V 栅源极阈值电压：2.5V @ 250uA 漏源导通电阻：17mΩ @ 10A,6V 最大功率耗散（Ta=25°C）：4.2W 类型：P沟道 P沟道.-30V.-45A.9.6mΩ

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规格参数
PDF数据手册

属性（属性参数值如有纰漏请以PDF为准）	参数值
商品目录	MOS(场效应管)
连续漏极电流（Id）（25°C 时）	15A
类型	P沟道

连续漏极电流（Id）（25°C 时）：15A 漏源电压（Vdss）：-30V 栅源极阈值电压：2.5V @ 250uA 漏源导通电阻：17mΩ @ 10A,6V 最大功率耗散（Ta=25°C）：4.2W 类型：P沟道 P沟道.-30V.-45A.9.6mΩ

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WSD30L60DN56由WINSOK微硕设计生产,在芯云购商城现货销售,WSD30L60DN56价格参考￥6.584400。WINSOK微硕WSD30L60DN56封装/规格：DFN5x6-8,连续漏极电流（Id）（25°C 时）：15A 漏源电压（Vdss）：-30V 栅源极阈值电压：2.5V @ 250uA 漏源导通电阻：17mΩ @ 10A,6V 最大功率耗散（Ta=25°C）：4.2W 类型：P沟道 P沟道.-30V.-45A.9.6mΩ

手机版：WSD30L60DN56