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CSD19537Q3T

商品型号： CSD19537Q3T

制造厂商： TI(德州仪器)

封装规格： VSON-CLIP-8

商品毛重： 0.10g

商品编号： CY215512

数据手册：在线预览

商品描述：连续漏极电流（Id）（25°C 时）：50A 漏源电压（Vdss）：100V 栅源极阈值电压：3.6V @ 250uA 漏源导通电阻：14.5mΩ @ 10A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：2.8W 类型：N沟道 CSD19537Q3 CSD19537Q3，100V N 沟道 NexFET? 功率 MOSFET

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规格参数
PDF数据手册

属性（属性参数值如有纰漏请以PDF为准）	参数值
商品目录	MOS(场效应管)
漏源电压（Vdss）	100V
连续漏极电流（Id）（25°C 时）	50A
类型	N沟道

连续漏极电流（Id）（25°C 时）：50A 漏源电压（Vdss）：100V 栅源极阈值电压：3.6V @ 250uA 漏源导通电阻：14.5mΩ @ 10A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：2.8W 类型：N沟道 CSD19537Q3 CSD19537Q3，100V N 沟道 NexFET? 功率 MOSFET

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CSD19537Q3T由TI(德州仪器)设计生产,在芯云购商城现货销售,CSD19537Q3T价格参考￥2.089200。TI(德州仪器)CSD19537Q3T封装/规格：VSON-CLIP-8,连续漏极电流（Id）（25°C 时）：50A 漏源电压（Vdss）：100V 栅源极阈值电压：3.6V @ 250uA 漏源导通电阻：14.5mΩ @ 10A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：2.8W 类型：N沟道 CSD19537Q3 CSD19537Q3，100V N 沟道 NexFET? 功率 MOSFET

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