商品型号： 20N65NF
制造厂商： PINGWEI(平伟)
封装规格： TO-220NF
商品毛重： 2.78g
商品编号： CY817883
数据手册：
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商品描述： 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：20A 漏源电压（Vdss）：650V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：500mΩ @ 10A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：45W(Tc) 类型：N沟道
数量
价格
1+
￥7.3229
10+
￥7.2695
30+
￥7.2161
100+
￥7.1627
500+
￥7.1093
1000+
￥7.0559
品牌： ST(意法半导体)
封装： RD91
￥38.00
品牌： ST(意法半导体)
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￥15.00
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￥25.00
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￥120.00
品牌： ST(意法半导体)
封装： TO3P
￥25.00
| 属性（属性参数值如有纰漏请以PDF为准） | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | MOS(场效应管) | |
| 漏源电压（Vdss） | 650V | |
| 连续漏极电流（Id）（25°C 时） | 20A | |
| 类型 | N沟道 |
20N65NF由PINGWEI(平伟)设计生产,在芯云购商城现货销售,20N65NF价格参考￥7.322900。PINGWEI(平伟)20N65NF封装/规格：TO-220NF,连续漏极电流（Id）（25°C 时）：20A 漏源电压（Vdss）：650V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：500mΩ @ 10A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：45W(Tc) 类型：N沟道
手机版：20N65NF
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