商品型号： IRLR8726PBF
制造厂商： Infineon(英飞凌)
封装规格： TO-252-2(DPAK)
商品毛重： 0.48g
商品编号： CY556558
数据手册：
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商品描述： 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：86A 漏源电压（Vdss）：30V 栅源极阈值电压：2.35V @ 50uA 漏源导通电阻：5.8mΩ @ 25A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：75W 类型：N沟道 86A/30V NMOS管
数量
价格
1+
￥3.3477
10+
￥3.2918
30+
￥3.2359
100+
￥3.18
500+
￥3.12
1000+
￥3.06
品牌： ST(意法半导体)
封装： LQFP48
￥15.00
品牌： IXYS
封装： TO-247
￥25.00
品牌： ST(意法半导体)
封装： LQFP-176
￥120.00
品牌： ST(意法半导体)
封装： TO3P
￥25.00
品牌： FANHAR(浙江凡华)
封装： 20.2x10x15.5
￥15.00
| 属性（属性参数值如有纰漏请以PDF为准） | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | MOS(场效应管) | |
| 漏源电压（Vdss） | 30V | |
| 最大功率耗散（Ta=25°C） | 75W | |
| 类型 | N沟道 |
IRLR8726PBF由Infineon(英飞凌)设计生产,在芯云购商城现货销售,IRLR8726PBF价格参考￥3.347700。Infineon(英飞凌)IRLR8726PBF封装/规格：TO-252-2(DPAK),连续漏极电流（Id）（25°C 时）：86A 漏源电压（Vdss）：30V 栅源极阈值电压：2.35V @ 50uA 漏源导通电阻：5.8mΩ @ 25A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：75W 类型：N沟道 86A/30V NMOS管
手机版：IRLR8726PBF
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