商品型号： KND4365A
制造厂商： KIA 半导体
封装规格： TO-252-2(DPAK)
商品毛重： 0.45g
商品编号： CY884787
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商品描述： 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：4A(Tc) 漏源电压（Vdss）：650V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：2.5Ω @ 2A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：55W(Tc) 类型：N沟道 N沟道，650V，4A
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| 属性（属性参数值如有纰漏请以PDF为准） | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | MOS(场效应管) | |
| 漏源电压（Vdss） | 650V | |
| 类型 | N沟道 |
KND4365A由KIA 半导体设计生产,在芯云购商城现货销售,KND4365A价格参考￥6.493900。KIA 半导体KND4365A封装/规格：TO-252-2(DPAK),连续漏极电流（Id）（25°C 时）：4A(Tc) 漏源电压（Vdss）：650V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：2.5Ω @ 2A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：55W(Tc) 类型：N沟道 N沟道，650V，4A
手机版：KND4365A
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