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HY3210P

商品型号： HY3210P

制造厂商： HUAYI(华羿微)

封装规格： TO-220(TO-220-3)

商品毛重： 2.82g

商品编号： CY227009

数据手册：在线预览

商品描述：连续漏极电流（Id）（25°C 时）：120A 漏源电压（Vdss）：100V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：8.5mΩ @ 60A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：237W 类型：N沟道 N沟道MOSFET. VDS=100V, ID=120A,6.8mR,可替换IRF2807,IRF3710,IRF4410

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规格参数
PDF数据手册

属性（属性参数值如有纰漏请以PDF为准）	参数值
商品目录	MOS(场效应管)
漏源电压（Vdss）	100V
类型	N沟道

连续漏极电流（Id）（25°C 时）：120A 漏源电压（Vdss）：100V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：8.5mΩ @ 60A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：237W 类型：N沟道 N沟道MOSFET. VDS=100V, ID=120A,6.8mR,可替换IRF2807,IRF3710,IRF4410

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HY3210P由HUAYI(华羿微)设计生产,在芯云购商城现货销售,HY3210P价格参考￥8.175600。HUAYI(华羿微)HY3210P封装/规格：TO-220(TO-220-3),连续漏极电流（Id）（25°C 时）：120A 漏源电压（Vdss）：100V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：8.5mΩ @ 60A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：237W 类型：N沟道 N沟道MOSFET. VDS=100V, ID=120A,6.8mR,可替换IRF2807,IRF3710,IRF4410

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