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DMT8012LK3-13

商品型号： DMT8012LK3-13

制造厂商： DIODES(美台)

封装规格： TO-252-2(DPAK)

商品毛重： 0.40g

商品编号： CY114794

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商品描述：连续漏极电流（Id）（25°C 时）：44A(Tc) 漏源电压（Vdss）：80V 栅源极阈值电压：3V @ 250uA 漏源导通电阻：17mΩ @ 12A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：2.7W 类型：N沟道 N沟道,80V,44A

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规格参数
PDF数据手册

属性（属性参数值如有纰漏请以PDF为准）	参数值
商品目录	MOS(场效应管)
漏源电压（Vdss）	80V
类型	N沟道

连续漏极电流（Id）（25°C 时）：44A(Tc) 漏源电压（Vdss）：80V 栅源极阈值电压：3V @ 250uA 漏源导通电阻：17mΩ @ 12A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：2.7W 类型：N沟道 N沟道,80V,44A

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DMT8012LK3-13由DIODES(美台)设计生产,在芯云购商城现货销售,DMT8012LK3-13价格参考￥9.238600。DIODES(美台)DMT8012LK3-13封装/规格：TO-252-2(DPAK),连续漏极电流（Id）（25°C 时）：44A(Tc) 漏源电压（Vdss）：80V 栅源极阈值电压：3V @ 250uA 漏源导通电阻：17mΩ @ 12A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：2.7W 类型：N沟道 N沟道,80V,44A

手机版：DMT8012LK3-13