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P-MOS  -30V -9.1A  20mΩ@-10V
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P-MOS -30V -9.1A 20mΩ@-10V

商品型号: SM4435PRL

制造厂商: SPS(美国源芯)

封装规格: SOP-8

商品毛重: 0.18g

商品编号: CY700272

数据手册: 在线预览

商品描述: 连续漏极电流(Id)(25°C 时):9.1A 漏源电压(Vdss):-30V 栅源极阈值电压:3V @ 250uA 漏源导通电阻:20mΩ @ 9.1A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):2.5W 类型:P沟道 -

交货地:国内 货期(工作日):立即发货

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数   量: X ¥6.3308

总   价: ¥6.33

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属性(属性参数值如有纰漏请以PDF为准) 参数值
商品目录 MOS(场效应管)
最大功率耗散(Ta=25°C) 2.5W
类型 P沟道
连续漏极电流(Id)(25°C 时):9.1A 漏源电压(Vdss):-30V 栅源极阈值电压:3V @ 250uA 漏源导通电阻:20mΩ @ 9.1A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):2.5W 类型:P沟道 -

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SM4435PRL由SPS(美国源芯)设计生产,在芯云购商城现货销售,SM4435PRL价格参考¥6.330800。SPS(美国源芯)SM4435PRL封装/规格:SOP-8,连续漏极电流(Id)(25°C 时):9.1A 漏源电压(Vdss):-30V 栅源极阈值电压:3V @ 250uA 漏源导通电阻:20mΩ @ 9.1A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):2.5W 类型:P沟道 -

手机版:SM4435PRL